2026年，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)了一個(gè)歷史性變化。

SEMI中國(guó)總裁馮莉在SEMICON China 2026上透露，今年存儲(chǔ)產(chǎn)值的增長(zhǎng)速度將超過(guò)晶圓代工，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域增長(zhǎng)飛快的板塊。她還給出了一個(gè)具體數(shù)字：HBM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)增長(zhǎng)58%，達(dá)到546億美元，占DRAM市場(chǎng)將近四成的份額。

為什么會(huì)這樣？答案其實(shí)很簡(jiǎn)單：大模型的瓶頸不是算力不夠，而是數(shù)據(jù)搬不動(dòng)。

萬(wàn)億參數(shù)級(jí)別的模型，對(duì)內(nèi)存帶寬的要求太高了。普通內(nèi)存根本跟不上。HBM憑借其超寬總線架構(gòu)和TB/s級(jí)別的帶寬，成了AI芯片繞不開(kāi)的選擇。德勤的報(bào)告也印證了這一點(diǎn)——2026年存儲(chǔ)器收入預(yù)計(jì)達(dá)到2000億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)收入的四分之一。

不過(guò)，供不應(yīng)求的局面短期內(nèi)很難緩解。

三星、SK海力士、美光這三家已經(jīng)把70%的新增產(chǎn)能投給了HBM，但還是不夠用。市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)速度比產(chǎn)能擴(kuò)張快得多，HBM的產(chǎn)能缺口仍然在50%到60%之間。

這種緊張已經(jīng)傳導(dǎo)到消費(fèi)市場(chǎng)了。DDR4和DDR5的供應(yīng)也在收緊，預(yù)計(jì)2026年上半年價(jià)格還會(huì)繼續(xù)上漲，部分產(chǎn)品漲幅可能達(dá)到50%。

存儲(chǔ)，正在從配角變成主角。